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首页 > 产品中心 > 上海贝岭 > 功率器件 > 屏蔽栅金属氧化物半导体场效应管(SGT MOSFETs) > BLG3040-A

BLG3040-A

15T65,HV,高压,IGBT

BLG3040-A

优势特点

Low VCEsat

High SCIS Energy

Positive temperature coefficient

Logic Level Gate Drive

产品简介

BLG15T65FUL is obtained by advanced Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low VCE(sat) , optimized swiching performance and low gate Qg. The IGBT is suitable device for BLDC, UPS, and low VCE(sat) applications.

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