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首页 > 产品中心 > 上海贝岭 > 功率器件 > 屏蔽栅金属氧化物半导体场效应管(SGT MOSFETs) > BLG3040-A

BLG3040-A

3040,HV,高压,IGBT

优势特点

Low VCEsat

High SCIS Energy

Positive temperature coefficient

Logic Level Gate Drive

产品简介

BLG3040 is obtained by advanced ignition IGBTs technology which reduce the conduction loss, enhance the SCIS capability and internal diodes provide voltage clamping without the need for external components. The IGBT is suitable device for automotive ignition circuits, specifically as a coil driver.

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