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屏蔽栅金属氧化物半导体场效应管(SGT MOSFETs)

上海贝岭公司的IGBT产品,涵盖了平面高鲁棒特性系列, 基于沟槽场截止型(Trench Field Stop)技术的高效系列,结合了超薄片工艺制程(Ultra Thin Wafer Process)以及局部寿命控制等技术,显著改善了动静态性能折中,大幅提高了器件的功率密度,使器件可耐工作温度更高,转换效率更大,使用寿命更长。

产品列表
Part No. Type Grade Mode VCES(Max.) PTOT(Max.) Freewheeling diode IC (A) (@ Tc = 100 °C) max IC (A) (@ Tc = 25 °C) max VCE(sat) (V) typ Qg (nC) typ Eon (mJ) typ Eoff (mJ) typ IF (A) (@ Tc = 100 °C) max IF (A) (@ Tc = 25 °C) max VF (V) typ Irrm(A) typ Qrr (nC) typ Package Reference Application
BLG15T65FUA IGBT Trench FS HC N-Channel 650V 28W FRD 15A 30A 1.65V 40nC 0.32mJ 0.2mJ 15A 30A 1.8V 4A 105nC TO-220F BLDC, UPS
BLG3040-A IGBT Trench FS HC N-Channel 650V 35W FRD 15A 30A 1.4V 45nC 0.46mJ 0.26mJ 15A 30A 1.8V 4A 105nC TO-220F BLDC, UPS
BLG3040-A IGBT Planar HC N-Channel 400V 150W 17A 21A 1.25V 8nC mJ mJ A A V A nC TO-263 TO-252 TO-220 TO-262 ESD Automotive Ignition Circuits
BLG3040-I IGBT Planar HC N-Channel 400V 150W 17A 21A 1.25V 8nC mJ mJ A A V A nC TO-263 TO-252 TO-220 TO-262 ESD Automotive Ignition Circuits
BLG40T120FDH IGBT Trench FS LG N-Channel 1200V 367W FRD 40A 80A 1.9V 245nC 5.5mJ 1.5mJ 40A 80A 2V 14.9A 654nC TO-247 UPS
BLG40T120FUH IGBT Trench FS LG N-Channel 1200V 367W FRD 40A 80A 1.9V 245nC 5.5mJ 1.5mJ 20A 40A 2V 12.3A 413nC TO-247 UPS
BLG40T120FUK IGBT Trench FS LG N-Channel 1200V 367W FRD 40A 80A 2.3V 245nC 5.5mJ 1.1mJ 20A 40A 2V 12.3A 413nC TO-247 Welding Converts
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