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BLM08N06

08N06，LV，低压

BLM08N06

产品手册

BLM08N06_V1.0_en

产品技术资料帮助

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优势特点

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized Avalanche voltage and current

产品简介

The BLM08N06L uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
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