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首页 > 产品中心 > 上海贝岭 > 功率器件 > 屏蔽栅金属氧化物半导体场效应管(SGT MOSFETs) > BLG40T120FDH

BLG40T120FDH

40T120,HV,高压,IGBT

优势特点

Fast Switching

Low VCE(sat)

Positive temperature coefficient

Very soft, fast recovery anti-parallel diode

RoHS product

产品简介

BLG40T120FDH is obtained by advanced Trench Field Stop (T-FS) technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The IGBT is suitable device for UPS, Welding, and high speed switching.

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