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首页 > 产品中心 > 上海贝岭 > 功率器件 > 屏蔽栅金属氧化物半导体场效应管(SGT MOSFETs) > BLP05N08G

BLP05N08G

05N08G,LV,低压,SGT

BLP05N08G

优势特点

Fast Switching

Low On-Resistance ( RDS(on)≤5mΩ )

Low Gate Charge

Low Reverse transfer capacitances

High avalanche ruggedness

RoHS product

产品简介

BLP05N08G, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for motor drivers and high speed switching applications.

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