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首页 > 产品中心 > 上海贝岭 > 功率器件 > 沟槽栅金属氧化物半导体场效应管(Trench MOSFETs) > BLM07N06

BLM07N06

07N06，lv，低压

BLM07N06

产品手册

BLM07N06 datasheet V1.0

产品技术资料帮助

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优势特点

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized Avalanche voltage and current

产品简介

The BLM08N06L uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
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